IGBT транзисторы силовые
452 компонента
Фильтры
Сортировать:
Сортировать
для инженера
для менеджера
Групповые действия
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.9 В
DHG40N120D WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 1200 В; I c: 40 А; Корпус: TO-247
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.9 В
I c:
40 А
Все характеристики
В наличии
622 шт
Информация по наличию
В наличии
622 шт
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
221.76 руб./шт
от 50 шт
195.58 руб./шт
от 240 шт
170.20 руб./шт
В наличии
622 шт
от 1 шт
221.76 руб./шт
от 50 шт
195.58 руб./шт
от 240 шт
170.20 руб./шт
от 170.20 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 170.20 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 240 шт
170.20 руб. /шт
от 50 шт
195.58 руб. /шт
от 1 шт
221.76 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Корпус:
TOLL
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
40 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
40 В
I c:
320 А
NCE40H32LL NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 40 В; I c: 320 А; Корпус: TOLL
Корпус:
TOLL
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
40 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
40 В
I c:
320 А
Все характеристики
В наличии
26 шт
Информация по наличию
В наличии
26 шт
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
179.22 руб./шт
В наличии
26 шт
от 1 шт
179.22 руб./шт
от 179.22 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 179.22 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
179.22 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
RSG40N120QHW Reasunos, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
RSG25N120QHW Reasunos, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Корпус:
TO-247Plus
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.35 В
DGQ100N65CTS1D SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 100 А; Корпус: TO-247Plus
Корпус:
TO-247Plus
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.35 В
I c:
100 А
Все характеристики
В наличии
20 шт
Информация по наличию
В наличии
20 шт
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
838.76 руб./шт
В наличии
20 шт
от 1 шт
838.76 руб./шт
от 838.76 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 838.76 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
838.76 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Корпус:
TO-247Plus
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.65 В
DGQ120N65CTH1G SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 120 А; Корпус: TO-247Plus
Корпус:
TO-247Plus
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.65 В
I c:
120 А
Все характеристики
В наличии
20 шт
Информация по наличию
В наличии
20 шт
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
963.09 руб./шт
В наличии
20 шт
от 1 шт
963.09 руб./шт
от 963.09 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 963.09 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
963.09 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Корпус:
TO-247Plus
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.55 В
DGQ160N65CTS2A SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 160 А; Корпус: TO-247Plus
Корпус:
TO-247Plus
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.55 В
I c:
160 А
Все характеристики
В наличии
20 шт
Информация по наличию
В наличии
20 шт
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
1 152.09 руб./шт
В наличии
20 шт
от 1 шт
1 152.09 руб./шт
от 1 152.09 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 1 152.09 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
1 152.09 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Корпус:
TO-247Plus
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.75 В
DGQ140N120CTH1G SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 1200 В; I c: 140 А; Корпус: TO-247Plus
Корпус:
TO-247Plus
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.75 В
I c:
140 А
Все характеристики
В наличии
20 шт
Информация по наличию
В наличии
20 шт
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
1 011.14 руб./шт
В наличии
20 шт
от 1 шт
1 011.14 руб./шт
от 1 011.14 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 1 011.14 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
1 011.14 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.9 В
NCE40TD65BT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 40 А; Корпус: TO-247
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.9 В
I c:
40 А
Все характеристики
В наличии
17 шт
Информация по наличию
В наличии
17 шт
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
282.15 руб./шт
В наличии
17 шт
от 1 шт
282.15 руб./шт
от 282.15 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 282.15 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
282.15 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
DGC25H120F6 WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
6 В
NCE80TD65BT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 80 А; Корпус: TO-247
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
6 В
I c:
80 А
Все характеристики
В наличии
13 шт
Информация по наличию
В наличии
13 шт
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
459.07 руб./шт
В наличии
13 шт
от 1 шт
459.07 руб./шт
от 459.07 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 459.07 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
459.07 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
6.5 В
I c:
40 А
Типоразмер:
TO-247
Документация
Документация
NCE40TD120LT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 1200 В; I c: 40 А; Корпус: TO-247
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
6.5 В
I c:
40 А
Все характеристики
В наличии
10 шт
Информация по наличию
В наличии
10 шт
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
286.08 руб./шт
В наличии
10 шт
от 1 шт
286.08 руб./шт
от 286.08 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 286.08 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
286.08 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.8 В
NCE60TD65BT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 60 А; Корпус: TO-247
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.8 В
I c:
60 А
Все характеристики
В наличии
7 шт
Информация по наличию
В наличии
7 шт
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
367.51 руб./шт
В наличии
7 шт
от 1 шт
367.51 руб./шт
от 367.51 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 367.51 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
367.51 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.85 В
DHG60N65D WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 60 А; Корпус: TO-247
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.85 В
I c:
60 А
Все характеристики
В наличии
5 шт
Информация по наличию
В наличии
5 шт
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
178.29 руб./шт
от 50 шт
157.25 руб./шт
от 240 шт
135.70 руб./шт
В наличии
5 шт
от 1 шт
178.29 руб./шт
от 50 шт
157.25 руб./шт
от 240 шт
135.70 руб./шт
от 135.70 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 135.70 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 240 шт
135.70 руб. /шт
от 50 шт
157.25 руб. /шт
от 1 шт
178.29 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
6 В
NCE40TD120VT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 1200 В; I c: 40 А; Корпус: TO-247
Корпус:
TO-247
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
6 В
I c:
40 А
Все характеристики
В наличии
2 шт
Информация по наличию
В наличии
2 шт
от 1
Стоимость за партию
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
456.55 руб./шт
В наличии
2 шт
от 1 шт
456.55 руб./шт
от 456.55 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 456.55 руб./шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
456.55 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Корпус:
TO247
Типоразмер:
TO-247
IRG4PC40SPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, Корпус: TO247; Типоразмер: TO-247
Корпус:
TO247
Типоразмер:
TO-247
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Корпус:
PG-TO247-3-46
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2 В
IKQ75N120CH3XKSA1_ Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 1200 В; I c: 75 А; V CE(sat): 2 В; Корпус: PG-TO247-3-46; Типоразмер: TO-247
Корпус:
PG-TO247-3-46
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2 В
I c:
75 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Корпус:
IPAK
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
600 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2 В
AUIRGU4045D Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 12 А; V CE(sat): 2 В; Корпус: IPAK; Типоразмер: TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Корпус:
IPAK
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
600 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2 В
I c:
12 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Корпус:
TO-247AC
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
600 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2.1 В
AUIRGP4066D1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 140 А; V CE(sat): 2.1 В; Корпус: TO-247AC; Типоразмер: TO-247-3
Корпус:
TO-247AC
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
600 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2.1 В
I c:
140 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Корпус:
TO-247AC
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
600 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2.55 В
AUIRGP35B60PD Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 60 А; V CE(sat): 2.55 В; Корпус: TO-247AC; Типоразмер: TO-247-3
Корпус:
TO-247AC
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
600 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2.55 В
I c:
60 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
