IGBT транзисторы силовые
452 компонента
Фильтры
Сортировать:
Сортировать
для инженера
для менеджера
Групповые действия
G60N65D WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
DGC75F65H7 WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
G40N120D WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
BLQG3040-D Shanghai Belling, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
IXGA12N120A3 IXYS, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Корпус:
DPak (TO-252)
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
450 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.25 В
STGD20N45LZAG STMicroelectronics, IGBT транзисторы силовые, V ce: 450 В; I c: 25 А; V CE(sat): 1.25 В; Корпус: DPak (TO-252); Типоразмер: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус:
DPak (TO-252)
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
450 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.25 В
I c:
25 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
DAGC75H65M WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
DGC60F65M WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
G50T65D WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
DGC75F120M2 WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
G50N120D WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Корпус:
SOT-227B
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
600 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.25 В
IXGN320N60A3 IXYS, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 320 А; V CE(sat): 1.25 В; Корпус: SOT-227B; Типоразмер: SOT-227-4, miniBLOC
Корпус:
SOT-227B
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
600 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.25 В
I c:
320 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Корпус:
TO-247AC
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2.05 В
I c:
240 А
Типоразмер:
TO-247-3
FGY160T65SPD-F085 ON Semiconductor, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 240 А; V CE(sat): 2.05 В; Корпус: TO-247AC; Типоразмер: TO-247-3
Корпус:
TO-247AC
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2.05 В
I c:
240 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Корпус:
TO-247AC
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
3.2 В
IXYH82N120C3 IXYS, IGBT транзисторы силовые, V ce: 1200 В; I c: 200 А; V CE(sat): 3.2 В; Корпус: TO-247AC; Типоразмер: TO-247-3
Корпус:
TO-247AC
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
3.2 В
I c:
200 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Корпус:
DPak (TO-252)
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
400 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.25 В
FGD3040G2-F085 ON Semiconductor, IGBT транзисторы силовые, V ce: 400 В; I c: 41 А; V CE(sat): 1.25 В; Корпус: DPak (TO-252); Типоразмер: TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус:
DPak (TO-252)
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
400 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.25 В
I c:
41 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Корпус:
TO-247AC
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.85 В
FGY120T65SPD-F085 ON Semiconductor, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 240 А; V CE(sat): 1.85 В; Корпус: TO-247AC; Типоразмер: TO-247-3
Корпус:
TO-247AC
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
650 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.85 В
I c:
240 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Корпус:
TO247
Типоразмер:
TO-247
IRG4PC40SPBF Infineon, IGBT транзисторы силовые, Корпус: TO247; Типоразмер: TO-247
Корпус:
TO247
Типоразмер:
TO-247
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Корпус:
TO-247AC
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2.4 В
NGTB40N120FL2WG ON Semiconductor, IGBT транзисторы силовые, V ce: 1200 В; I c: 80 А; V CE(sat): 2.4 В; Корпус: TO-247AC; Типоразмер: TO-247-3
Корпус:
TO-247AC
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2.4 В
I c:
80 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Корпус:
PG-TO247-3-46
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2 В
IKQ75N120CH3XKSA1_ Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 1200 В; I c: 75 А; V CE(sat): 2 В; Корпус: PG-TO247-3-46; Типоразмер: TO-247
Корпус:
PG-TO247-3-46
Максимальное напряжение коллектор-эммитер:
1200 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
2 В
I c:
75 А
Все характеристики
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
HGTG30N60A4 ON Semiconductor, IGBT транзисторы силовые,
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
