Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
NGTB40N120FL2WG ON Semiconductor
Артикул
Производитель
Спецификация:
IGBT транзистор NGTB40N120FL2WG, производителя ON Semiconductor
Ключевые параметры компонента NGTB40N120FL2WG: V ce: 1200 В; I c: 80 А; V CE(sat): 2.4 В; Корпус: TO-247AC; Типоразмер: TO-247-3.
Цена по запросу
Производитель
Серия
Спецификация:
IGBT транзистор NGTB40N120FL2WG, производителя ON Semiconductor
Ключевые параметры компонента NGTB40N120FL2WG: V ce: 1200 В; I c: 80 А; V CE(sat): 2.4 В; Корпус: TO-247AC; Типоразмер: TO-247-3.
Основные характеристики
Типоразмер
TO-247-3
I c
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.4 В
Максимальное напряжение коллектор-эммитер
Корпус
Дополнительные характеристики
Заряд затвора
313 нКл
Диапазон рабочих температур
-55°C до +175°C
Тип монтажа
Through Hole
Мощность
535 Вт
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя ON Semiconductor в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.