Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
NCE80TD65BT NCEPOWER
Артикул
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
IGBT транзистор NCE80TD65BT, производителя NCEPOWER
Ключевые параметры компонента NCE80TD65BT: Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 80 А; Корпус: TO-247.
кратность 1
от 1 шт
459.07 руб./шт
от 459.07 руб. /шт
В наличии
13 шт
Производитель
Серия
Документы (Datasheet)
Спецификация:
IGBT транзистор NCE80TD65BT, производителя NCEPOWER
Ключевые параметры компонента NCE80TD65BT: Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 80 А; Корпус: TO-247.
Основные характеристики
Типоразмер
TO-247
I c
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
6 В
Максимальное напряжение коллектор-эммитер
Корпус
Дополнительные характеристики
Диапазон рабочих температур
-40°C до +175°C
Тип монтажа
Through Hole
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя NCEPOWER в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Аналоги (1)
Код товара у производителя
DGW75N65CTS2A
Производитель
SuncoYJ
Описание
DGW75N65CTS2A SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 75 А; Корпус: TO-247
Наличие
0 шт
Цена от
170.78 /шт
DGW75N65CTS2A SuncoYJ
DGW75N65CTS2A SuncoYJ
Производитель:
Артикул:
00451910
Соответствие ROHS:
Да
В упаковке:
3000
Тип упаковки:
Пенал
В наличии
0 шт
от 1 шт
170.78 руб./шт
от 170.78 /шт