DGW75N65CTS2A SuncoYJ
Артикул
00451910
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
IGBT транзистор DGW75N65CTS2A, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента DGW75N65CTS2A: Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 75 А; Корпус: TO-247.
Ключевые параметры компонента DGW75N65CTS2A: Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 75 А; Корпус: TO-247.
Читать подробнее
от 1 шт
170.60 руб./шт
от 170.60 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 170.6/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
170.60 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
IGBT транзистор DGW75N65CTS2A, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента DGW75N65CTS2A: Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 75 А; Корпус: TO-247.
Ключевые параметры компонента DGW75N65CTS2A: Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 75 А; Корпус: TO-247.
Читать подробнее
Основные характеристики
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Аналоги (15)
|
Код товара у производителя
|
Производитель
|
Описание
|
Наличие
|
Цена от
|
|
|---|---|---|---|---|---|
|
Код товара у производителя
NCE80TD65BT
|
Производитель
NCEPOWER |
Описание
NCE80TD65BT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 80 А; Корпус: TO-247 |
Наличие
13 шт
|
Цена от
459.35 /шт
|
|
|
В наличии
13 шт
от 1 шт
459.35 руб./шт
кратность
от 459.35
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 459.35/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
459.35 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
|
|||||
|
Код товара у производителя
DHG60N65D
|
Производитель
WXDH Electronics |
Описание
DHG60N65D WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 60 А; Корпус: TO-247 |
Наличие
5 шт
|
Цена от
135.79 /шт
|
|
|
В наличии
5 шт
от 1 шт
178.39 руб./шт
от 50 шт
157.34 руб./шт
от 240 шт
135.79 руб./шт
кратность
от 135.79
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 135.79/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 240 шт
135.79 руб. /шт
от 50 шт
157.34 руб. /шт
от 1 шт
178.39 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
|
|||||
|
Код товара у производителя
IKW50N65H5FKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IKW50N65H5FKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 56 А; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247AC; Типоразмер: TO-247 |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IKW60N60H3FKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IKW60N60H3FKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 60 А; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247AC; Типоразмер: TO-247 |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IKW75N65EL5XKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 80 А; V CE(sat): 1.4 В; Корпус: TO-247AC; Типоразмер: TO-247 |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IKW75N65EH5XKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IKW75N65EH5XKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.35 В; Корпус: TO-247AC; Типоразмер: TO-247 |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IKW75N60H3FKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IKW75N60H3FKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247AC; Типоразмер: TO-247 |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IKW75N65ES5XKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IKW75N65ES5XKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 80 А; V CE(sat): 1.5 В; Корпус: TO-247AC; Типоразмер: TO-247 |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IKW75N60TFKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IKW75N60TFKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 80 А; V CE(sat): 2 В; Корпус: TO-247-3; Типоразмер: PG-TO247-3-1 |
Наличие
0 шт
|
Цена от
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IKW75N65RH5XKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247; Типоразмер: TO-247 |
Наличие
0 шт
|
Цена от
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
NCE80TD60BT
|
Производитель
NCEPOWER |
Описание
NCE80TD60BT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 80 А; V CE(sat): 6.0 В; Корпус: TO-247; Типоразмер: TO-247 |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
RSG75N65HW
|
Производитель
Reasunos
|
Описание
RSG75N65HW Reasunos, IGBT транзисторы силовые, |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
RSG75N65HW Reasunos
В упаковке:
1
Тип упаковки:
Пенал
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
DGW60N65BTH
|
Производитель
SuncoYJ
|
Описание
DGW60N65BTH SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 65 А; Корпус: TO-247 |
Наличие
0 шт
|
Цена от
211.91 /шт
|
|
|
В наличии
0 шт
от 1 шт
211.91 руб./шт
от 211.91
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 211.91/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
211.91 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
|
|||||
|
Код товара у производителя
DGW75N65CTL1
|
Производитель
SuncoYJ
|
Описание
DGW75N65CTL1 SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247; Типоразмер: TO-247 |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
RSG50N65HW
|
Производитель
Reasunos
|
Описание
RSG50N65HW Reasunos, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 50 А; V CE(sat): 1.58 В; Корпус: TO-247; Типоразмер: TO-247 |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
