Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
NCE60TD65BT NCEPOWER
Артикул
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
IGBT транзистор NCE60TD65BT, производителя NCEPOWER
Ключевые параметры компонента NCE60TD65BT: Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 60 А; Корпус: TO-247.
кратность 1
от 1 шт
367.51 руб./шт
от 367.51 руб. /шт
В наличии
7 шт
Производитель
Серия
Документы (Datasheet)
Спецификация:
IGBT транзистор NCE60TD65BT, производителя NCEPOWER
Ключевые параметры компонента NCE60TD65BT: Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 650 В; I c: 60 А; Корпус: TO-247.
Основные характеристики
Типоразмер
TO-247
I c
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.8 В
Максимальное напряжение коллектор-эммитер
Корпус
Дополнительные характеристики
Диапазон рабочих температур
-40°C до +175°C
Тип монтажа
Through Hole
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя NCEPOWER в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.