Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина

Полевые (MOSFET) транзисторы силовые

3708 компонентов
Фильтры
все цены на товары указаны с учётом НДС
WMO80R1K5S WayOn
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
1.5 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
800 В
Id:
5 А
Qg:
11.2 нКл
WMO80R1K5S WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1.5 Ом; Id: 5 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 11.2 нКл
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
1.5 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
800 В
Все характеристики
В наличии
19 674 шт
от 1 шт
57.94 руб./шт
от 250 шт
44.27 руб./шт
от 2 500 шт
34.10 руб./шт
от 34.10 руб. /шт
WMO80R1K0S WayOn
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
1.05 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
800 В
Id:
6 А
Qg:
13.2 нКл
WMO80R1K0S WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1.05 Ом; Id: 6 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 13.2 нКл
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
1.05 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
800 В
Все характеристики
В наличии
19 348 шт
от 1 шт
82.07 руб./шт
от 250 шт
62.77 руб./шт
от 2 500 шт
48.29 руб./шт
от 48.29 руб. /шт
DI020N06D1 Diotec
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
24 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
60 В
Id:
20 А
Qg:
25.3 нКл
DI020N06D1 Diotec, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 60 В; Rds(on): 24 мОм; Id: 20 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 25.3 нКл
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
24 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
60 В
Все характеристики
В наличии
12 366 шт
от 1 шт
21.12 руб./шт
от 100 шт
19.20 руб./шт
от 500 шт
16.63 руб./шт
от 2 500 шт
12.80 руб./шт
от 12.80 руб. /шт
IRF840PBF Vishay
Корпус:
TO-220AB
Rds(on):
0.85 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
500 В
Id:
8 А
Qg:
63 нКл
Документация
IRF840PBF Vishay, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0.85 мОм; Id: 8 А; Корпус: TO-220AB; Qg: 63 нКл
Корпус:
TO-220AB
Rds(on):
0.85 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
500 В
Все характеристики
В наличии
8 495 шт
от 1 шт
85.06 руб./шт
от 100 шт
66.16 руб./шт
от 500 шт
56.72 руб./шт
от 2 000 шт
47.26 руб./шт
от 47.26 руб. /шт
WM03N57M WayOn
Корпус:
SOT-23
Rds(on):
36 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
30 В
Документация
WM03N57M WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 36 Ом; Id: 5.8 А; Корпус: SOT-23; Qg: 7.5 нКл
Корпус:
SOT-23
Rds(on):
36 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
30 В
Все характеристики
В наличии
7 952 шт
от 1 шт
3.11 руб./шт
от 250 шт
2.38 руб./шт
от 3 000 шт
1.88 руб./шт
от 1.88 руб. /шт
WML90R360S WayOn
Корпус:
TO-220FP
Rds(on):
0.34 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
30 В
Id:
13 А
Qg:
32 нКл
WML90R360S WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0.34 Ом; Id: 13 А; Корпус: TO-220FP; Qg: 32 нКл
Корпус:
TO-220FP
Rds(on):
0.34 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
30 В
Все характеристики
В наличии
7 179 шт
от 1 шт
194.76 руб./шт
от 250 шт
148.94 руб./шт
от 1 000 шт
114.57 руб./шт
от 114.57 руб. /шт
DI015N25D1 Diotec
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
200 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
250 В
Id:
15 А
Qg:
8.9 нКл
DI015N25D1 Diotec, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 250 В; Rds(on): 200 мОм; Id: 15 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 8.9 нКл
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
200 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
250 В
Все характеристики
В наличии
5 000 шт
от 1 шт
90.89 руб./шт
от 100 шт
82.63 руб./шт
от 500 шт
71.61 руб./шт
от 2 500 шт
55.08 руб./шт
от 55.08 руб. /шт
WMO80R720S WayOn
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
0.8 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
30 В
Id:
7 А
Qg:
16 нКл
WMO80R720S WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0.8 Ом; Id: 7 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 16 нКл
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
0.8 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
30 В
Все характеристики
В наличии
4 968 шт
от 1 шт
65.38 руб./шт
от 250 шт
50.01 руб./шт
от 2 500 шт
38.47 руб./шт
от 38.47 руб. /шт
WMJ25N65XJ WayOn
Корпус:
TO-247AC
Rds(on):
170 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
650 В
Id:
10 А
Qg:
19 нКл
WMJ25N65XJ WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 170 мОм; Id: 10 А; Корпус: TO-247AC; Qg: 19 нКл
Корпус:
TO-247AC
Rds(on):
170 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
650 В
Все характеристики
В наличии
3 830 шт
от 1 шт
89.83 руб./шт
от 89.83 руб. /шт
DI070P04PQ-AQ Diotec
Корпус:
PowerQFN 5x6
Rds(on):
65 мОм
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-40 В
Id:
-70 А
Qg:
125 нКл
DI070P04PQ-AQ Diotec, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: P-Channel; V(br)dss: -40 В; Rds(on): 65 мОм; Id: -70 А; Корпус: PowerQFN 5x6; Qg: 125 нКл
Корпус:
PowerQFN 5x6
Rds(on):
65 мОм
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-40 В
Все характеристики
В наличии
3 662 шт
от 1 шт
102.16 руб./шт
от 100 шт
92.88 руб./шт
от 500 шт
80.50 руб./шт
от 2 500 шт
61.92 руб./шт
от 61.92 руб. /шт
DI110N15PQ Diotec
Корпус:
PowerQFN 5x6
Rds(on):
11,7 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
150 В
Id:
110 А
Qg:
51 нКл
DI110N15PQ Diotec, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 11,7 мОм; Id: 110 А; Корпус: PowerQFN 5x6; Qg: 51 нКл
Корпус:
PowerQFN 5x6
Rds(on):
11,7 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
150 В
Все характеристики
В наличии
3 180 шт
от 1 шт
77.08 руб./шт
от 100 шт
70.06 руб./шт
от 500 шт
60.73 руб./шт
от 2 500 шт
46.71 руб./шт
от 46.71 руб. /шт
SI3443BDV-T1-GE3 Vishay
Корпус:
TSOP-6
Rds(on):
60 мОм
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-20 В
Id:
-4.7 А
Qg:
6 нКл
SI3443BDV-T1-GE3 Vishay, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: P-Channel; V(br)dss: -20 В; Rds(on): 60 мОм; Id: -4.7 А; Корпус: TSOP-6; Qg: 6 нКл
Корпус:
TSOP-6
Rds(on):
60 мОм
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-20 В
Все характеристики
В наличии
3 000 шт
от 1 шт
14.73 руб./шт
от 14.73 руб. /шт
WMO80R480S WayOn
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
0.48 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
800 В
Id:
12 А
Qg:
25 нКл
WMO80R480S WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0.48 Ом; Id: 12 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 25 нКл
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
0.48 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
800 В
Все характеристики
В наличии
2 645 шт
от 1 шт
137.73 руб./шт
от 250 шт
105.32 руб./шт
от 2 500 шт
81.01 руб./шт
от 81.01 руб. /шт
WML15N65C4 WayOn
Корпус:
TO-220FP
Rds(on):
0.3 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
650 В
Id:
13 А
Qg:
14.6 нКл
WML15N65C4 WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.3 Ом; Id: 13 А; Корпус: TO-220FP; Qg: 14.6 нКл
Корпус:
TO-220FP
Rds(on):
0.3 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
650 В
Все характеристики
В наличии
2 606 шт
от 1 шт
77.90 руб./шт
от 250 шт
59.57 руб./шт
от 1 000 шт
45.84 руб./шт
от 45.84 руб. /шт
WMJ53N60C4 WayOn
Корпус:
TO-247AC
Rds(on):
0.07 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
600 В
Id:
50 А
Qg:
58 нКл
WMJ53N60C4 WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.07 Ом; Id: 50 А; Корпус: TO-247AC; Qg: 58 нКл
Корпус:
TO-247AC
Rds(on):
0.07 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
600 В
Все характеристики
В наличии
2 262 шт
от 1 шт
299.10 руб./шт
от 250 шт
228.73 руб./шт
от 1 000 шт
175.95 руб./шт
от 175.95 руб. /шт
IRFR9310TRPBF Vishay
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
7 Ом
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-400 В
Id:
1.1 А
Qg:
13 нКл
IRFR9310TRPBF Vishay, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: P-Channel; V(br)dss: -400 В; Rds(on): 7 Ом; Id: 1.1 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 13 нКл
Корпус:
DPak (TO-252)
Rds(on):
7 Ом
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-400 В
Все характеристики
В наличии
2 180 шт
от 1 шт
111.95 руб./шт
от 100 шт
87.07 руб./шт
от 250 шт
74.63 руб./шт
от 1 000 шт
62.18 руб./шт
от 62.18 руб. /шт
DIT195N08 Diotec
Корпус:
TO-220AB
Rds(on):
0.0041 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
85 В
Id:
195 А
Qg:
296 нКл
DIT195N08 Diotec, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 85 В; Rds(on): 0.0041 Ом; Id: 195 А; Корпус: TO-220AB; Qg: 296 нКл
Корпус:
TO-220AB
Rds(on):
0.0041 Ом
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
85 В
Все характеристики
В наличии
2 096 шт
от 1 шт
196.63 руб./шт
от 100 шт
178.75 руб./шт
от 500 шт
154.92 руб./шт
от 1 000 шт
119.17 руб./шт
от 119.17 руб. /шт
IRF640NPBF Infineon
Корпус:
TO-220AB
Rds(on):
150 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
200 В
Документация
IRF640NPBF Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 150 мОм; Id: 18 А; Корпус: TO-220AB; Qg: 67 нКл
Корпус:
TO-220AB
Rds(on):
150 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
200 В
Все характеристики
В наличии
1 895 шт
от 1 шт
74.12 руб./шт
от 50 шт
61.76 руб./шт
от 500 шт
47.51 руб./шт
от 1 000 шт
39.67 руб./шт
от 39.67 руб. /шт
IRF9540NPBF Infineon
Корпус:
TO-220AB
Rds(on):
117 мОм
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-100 В
Id:
-14 А
Qg:
97 нКл
IRF9540NPBF Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: P-Channel; V(br)dss: -100 В; Rds(on): 117 мОм; Id: -14 А; Корпус: TO-220AB; Qg: 97 нКл
Корпус:
TO-220AB
Rds(on):
117 мОм
Полярность:
P-Channel
V(br)dss:
-100 В
Все характеристики
В наличии
1 716 шт
от 1 шт
97.58 руб./шт
от 50 шт
81.30 руб./шт
от 500 шт
62.55 руб./шт
от 1 000 шт
52.13 руб./шт
от 52.13 руб. /шт
Si4156DY-T1-GE3 Vishay
Корпус:
SO-8
Rds(on):
6 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
30 В
Id:
24 А
Qg:
12 нКл
Si4156DY-T1-GE3 Vishay, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 6 мОм; Id: 24 А; Корпус: SO-8; Qg: 12 нКл
Корпус:
SO-8
Rds(on):
6 мОм
Полярность:
N-Channel
V(br)dss:
30 В
Все характеристики
В наличии
1 705 шт
от 1 шт
102.22 руб./шт
от 100 шт
79.51 руб./шт
от 250 шт
68.15 руб./шт
от 1 000 шт
56.79 руб./шт
от 56.79 руб. /шт