Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина

Полевые (MOSFET) транзисторы силовые

3705 компонентов
Фильтры
все цены на товары указаны с учётом НДС
Характеристики отсутствуют
Распродажа
N-Channel
800 В
1.5 Ом
5 А
DPak (TO-252)
11.2 нКл
1.5 Ом
62 Вт
30 В
DPak (TO-252)
SMD/SMT
-55°C до +150°C
19 674 шт
34.11 руб.
WMO80R1K5S WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1.5 Ом; Id: 5 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 11.2 нКл
Все характеристики
кратность
от 34.11 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
N-Channel
800 В
1.05 Ом
6 А
DPak (TO-252)
13.2 нКл
1.05 Ом
70 Вт
30 В
DPak (TO-252)
SMD/SMT
-55°C до +150°C
19 348 шт
48.31 руб.
WMO80R1K0S WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1.05 Ом; Id: 6 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 13.2 нКл
Все характеристики
кратность
от 48.31 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
N-Channel
60 В
24 мОм
20 А
DPak (TO-252)
25.3 нКл
0.024 Ом
45 Вт
DPak (TO-252)
SMD/SMT
-55°C до +150°C
12 366 шт
12.81 руб.
DI020N06D1 Diotec, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 60 В; Rds(on): 24 мОм; Id: 20 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 25.3 нКл
Все характеристики
кратность
от 12.81 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
N-Channel
500 В
0.85 мОм
8 А
TO-220AB
63 нКл
0.85 Ом
TO-220AB
Through Hole
-55°C до +150°C
8 495 шт
47.34 руб.
IRF840PBF Vishay, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 0.85 мОм; Id: 8 А; Корпус: TO-220AB; Qg: 63 нКл
Все характеристики
кратность
от 47.34 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
N-Channel
30 В
36 Ом
5.8 А
SOT-23
7.5 нКл
36 Ом
±20 В
SOT-23
SMD/SMT
-55°C до +150°C
7 952 шт
1.88 руб.
WM03N57M WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 36 Ом; Id: 5.8 А; Корпус: SOT-23; Qg: 7.5 нКл
Все характеристики
кратность
от 1.88 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
N-Channel
30 В
0.34 Ом
13 А
TO-220FP
32 нКл
3.5 В
0.34 Ом
183 Вт
30 В
TO-220FP
Through Hole
-55°C до +150°C
7 179 шт
114.63 руб.
WML90R360S WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0.34 Ом; Id: 13 А; Корпус: TO-220FP; Qg: 32 нКл
Все характеристики
кратность
от 114.63 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
N-Channel
250 В
200 мОм
15 А
DPak (TO-252)
8.9 нКл
0.2 Ом
140 Вт
DPak (TO-252)
SMD/SMT
-55°C до +150°C
5 000 шт
55.18 руб.
DI015N25D1 Diotec, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 250 В; Rds(on): 200 мОм; Id: 15 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 8.9 нКл
Все характеристики
кратность
от 55.18 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
N-Channel
30 В
0.8 Ом
7 А
DPak (TO-252)
16 нКл
3.5 В
0.8 Ом
76 Вт
30 В
DPak (TO-252)
SMD/SMT
-55°C до +150°C
4 968 шт
38.49 руб.
WMO80R720S WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 0.8 Ом; Id: 7 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 16 нКл
Все характеристики
кратность
от 38.49 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
N-Channel
650 В
170 мОм
10 А
TO-247AC
19 нКл
170 Ом
TO-247AC
Through Hole
-55°C до +150°C
3 830 шт
89.89 руб.
WMJ25N65XJ WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 170 мОм; Id: 10 А; Корпус: TO-247AC; Qg: 19 нКл
Все характеристики
кратность
от 89.89 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
P-Channel
-40 В
65 мОм
-70 А
PowerQFN 5x6
125 нКл
0.0065 Ом
46 Вт
PowerQFN 5x6
SMD/SMT
-55°C до +150°C
3 662 шт
62.01 руб.
DI070P04PQ-AQ Diotec, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: P-Channel; V(br)dss: -40 В; Rds(on): 65 мОм; Id: -70 А; Корпус: PowerQFN 5x6; Qg: 125 нКл
Все характеристики
кратность
от 62.01 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
N-Channel
150 В
11,7 мОм
110 А
PowerQFN 5x6
51 нКл
0.0117 Ом
62 Вт
PowerQFN 5x6
SMD/SMT
-40°C до +150°C
3 180 шт
46.79 руб.
DI110N15PQ Diotec, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 150 В; Rds(on): 11,7 мОм; Id: 110 А; Корпус: PowerQFN 5x6; Qg: 51 нКл
Все характеристики
кратность
от 46.79 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
P-Channel
-20 В
60 мОм
-4.7 А
TSOP-6
6 нКл
60 мОм
20 В
TSOP-6
SMD/SMT
-55°C до +150°C
3 000 шт
14.74 руб.
SI3443BDV-T1-GE3 Vishay, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: P-Channel; V(br)dss: -20 В; Rds(on): 60 мОм; Id: -4.7 А; Корпус: TSOP-6; Qg: 6 нКл
Все характеристики
кратность
от 14.74 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
N-Channel
800 В
0.48 Ом
12 А
DPak (TO-252)
25 нКл
0.48 Ом
138 Вт
30 В
DPak (TO-252)
SMD/SMT
-55°C до +150°C
2 645 шт
81.06 руб.
WMO80R480S WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 0.48 Ом; Id: 12 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 25 нКл
Все характеристики
кратность
от 81.06 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
N-Channel
650 В
0.3 Ом
13 А
TO-220FP
14.6 нКл
0.3 Ом
31 Вт
30 В
TO-220FP
Through Hole
-55°C до +150°C
2 606 шт
45.86 руб.
WML15N65C4 WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 0.3 Ом; Id: 13 А; Корпус: TO-220FP; Qg: 14.6 нКл
Все характеристики
кратность
от 45.86 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
N-Channel
600 В
0.07 Ом
50 А
TO-247AC
58 нКл
0.07 Ом
350 Вт
30 В
TO-247AC
Through Hole
-55°C до +150°C
2 262 шт
176.05 руб.
WMJ53N60C4 WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0.07 Ом; Id: 50 А; Корпус: TO-247AC; Qg: 58 нКл
Все характеристики
кратность
от 176.05 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
P-Channel
-400 В
7 Ом
1.1 А
DPak (TO-252)
13 нКл
7 Ом
400 В
DPak (TO-252)
SMD
-55°C до +150°C
2 180 шт
62.22 руб.
IRFR9310TRPBF Vishay, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: P-Channel; V(br)dss: -400 В; Rds(on): 7 Ом; Id: 1.1 А; Корпус: DPak (TO-252); Qg: 13 нКл
Все характеристики
кратность
от 62.22 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
N-Channel
85 В
0.0041 Ом
195 А
TO-220AB
296 нКл
0.0041 Ом
300 Вт
TO-220AB
Through Hole
-55°C до +150°C
2 096 шт
119.36 руб.
DIT195N08 Diotec, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 85 В; Rds(on): 0.0041 Ом; Id: 195 А; Корпус: TO-220AB; Qg: 296 нКл
Все характеристики
кратность
от 119.36 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
N-Channel
200 В
150 мОм
18 А
TO-220AB
67 нКл
150 мОм
TO-220
Through Hole
-55°C до +175°C
1 895 шт
39.75 руб.
IRF640NPBF Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 150 мОм; Id: 18 А; Корпус: TO-220AB; Qg: 67 нКл
Все характеристики
кратность
от 39.75 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
P-Channel
-100 В
117 мОм
-14 А
TO-220AB
97 нКл
117 мОм
TO-220
Through Hole
-55°C до +150°C
1 716 шт
52.22 руб.
IRF9540NPBF Infineon, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: P-Channel; V(br)dss: -100 В; Rds(on): 117 мОм; Id: -14 А; Корпус: TO-220AB; Qg: 97 нКл
Все характеристики
кратность
от 52.22 руб. /шт
Характеристики отсутствуют
Распродажа
N-Channel
30 В
6 мОм
24 А
SO-8
12 нКл
6 Ом
SO-8
SMD
-55°C до +150°C
1 705 шт
56.83 руб.
Si4156DY-T1-GE3 Vishay, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 6 мОм; Id: 24 А; Корпус: SO-8; Qg: 12 нКл
Все характеристики
кратность
от 56.83 руб. /шт
примен.

Функционал не доступен

Данный функционал доступен только на устройствах с шириной экрана 1024px и выше.