Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
IRGPS60B120KDP Infineon
Артикул
Производитель
Спецификация:
IGBT транзистор IRGPS60B120KDP, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRGPS60B120KDP: Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 1200 В; I c: 60 А; Корпус: Super 247.
от 1 шт
1 313.26 руб./шт
от 1 313.26 руб. /шт
Производитель
Серия
Спецификация:
IGBT транзистор IRGPS60B120KDP, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRGPS60B120KDP: Максимальное напряжение коллектор-эммитер: 1200 В; I c: 60 А; Корпус: Super 247.
Основные характеристики
Типоразмер
Super 247
I c
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.1 В
Максимальное напряжение коллектор-эммитер
Корпус
Дополнительные характеристики
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
Рабочая частота
8~30 кГц
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.