IGC99T120T8RQX1SA1 Infineon
Артикул
00375536
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
IGBT кристалл IGC99T120T8RQX1SA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGC99T120T8RQX1SA1: Vce: 1200 В; I c: 100 А; Технология: IGBT HighSpeed 3.
Ключевые параметры компонента IGC99T120T8RQX1SA1: Vce: 1200 В; I c: 100 А; Технология: IGBT HighSpeed 3.
Читать подробнее
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
IGBT кристалл IGC99T120T8RQX1SA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGC99T120T8RQX1SA1: Vce: 1200 В; I c: 100 А; Технология: IGBT HighSpeed 3.
Ключевые параметры компонента IGC99T120T8RQX1SA1: Vce: 1200 В; I c: 100 А; Технология: IGBT HighSpeed 3.
Читать подробнее
Основные характеристики
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.