Санкт-Петербург
+7 (812) 449-4000
Корзина
IGC99T120T8RQX1SA1 Infineon
Артикул
Производитель
Спецификация:
IGBT кристалл IGC99T120T8RQX1SA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGC99T120T8RQX1SA1: Vce: 1200 В; I c: 100 А; Технология: IGBT HighSpeed 3.
Цена по запросу
Производитель
Серия
Спецификация:
IGBT кристалл IGC99T120T8RQX1SA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGC99T120T8RQX1SA1: Vce: 1200 В; I c: 100 А; Технология: IGBT HighSpeed 3.
Основные характеристики
Наименование товара у производителя
Технология
I c
Vce
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.