- Артикул: 00382366
- Количество в упаковке: 6
- Стандартная упаковка: Паллета
FF225R17ME4B11BOSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Low V CEsat
T vj op = 150°C
Standard Housing
IGBT модуль 225А, 1700В, Dual, EconoDUAL
T vj op = 150°C
Standard Housing
IGBT модуль 225А, 1700В, Dual, EconoDUAL
Производитель
Infineon
Код товара производителя
FF225R17ME4B11BOSA1
Серия
IGBT4
Наименование класса номенклатуры
IGBT модуль
OPN
SP000691710
Основные характеристики
Ic (nom)
(номинальный ток коллектора)
225 А
Vce (max)
(максимальное напряжение коллектор-эмиттер)
1700 В
Конфигурация
Dual
Размеры
Корпус
EconoDUAL
Упаковка
Тип упаковки (новый)
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
6
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
684.68 КБ
IGBT модуль FF225R17ME4B11BOSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента FF225R17ME4B11BOSA1: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 225 А; Vce (max): 1700 В; Конфигурация: Dual; Корпус: EconoDUAL.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента FF225R17ME4B11BOSA1: IGBT4 Серия: IGBT4; Ic (nom): 225 А; Vce (max): 1700 В; Конфигурация: Dual; Корпус: EconoDUAL.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.