- Артикул: 00286086
- Количество в упаковке: 2
DD750S65K3NOSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Capability
Extended Storage Temperature down to T(stg) = -55°C
Package with CTI > 600
Package with enhanced Insulation of 10.2kV AC 1min
High Creepage and Clearance Distance
Диодный модуль 6500В, 750 А, A-IHV130-6
Extended Storage Temperature down to T(stg) = -55°C
Package with CTI > 600
Package with enhanced Insulation of 10.2kV AC 1min
High Creepage and Clearance Distance
Диодный модуль 6500В, 750 А, A-IHV130-6
Производитель
Infineon
Код товара производителя
DD750S65K3NOSA1
Наименование класса номенклатуры
Диодный модуль
OPN
SP001027752
Основные характеристики
V rrm
(максимальное обратное напряжение)
6500 В
I fav
(максимальный средний прямой ток)
750 А
Конфигурация
Diodes
Диапазон рабочих температур
-50°C~125°C
Размеры
Корпус
A-IHV130-6
Упаковка
Количество в упаковке
2
Диодный модуль DD750S65K3NOSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента DD750S65K3NOSA1: V rrm: 6500 В; I fav: 750 А; Корпус: A-IHV130-6.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента DD750S65K3NOSA1: V rrm: 6500 В; I fav: 750 А; Корпус: A-IHV130-6.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.